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场效应MOS管STP50N06参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:50AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.028ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP50N06是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP50N06在开关电源中被广泛应用,特别是在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,可以有效提高转换效率,减少功率损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STP50N06常被用作开关元件,能够提供高效稳定的电流控制,广泛应用于工业自动化设备和家用电器中。

    3. 逆变器:用于太阳能和风能发电系统的逆变器中,STP50N06可实现高效的直流到交流转换,保障能源的有效利用。

    4. 车载电子设备:在汽车电子系统中,STP50N06被用于电源管理和电流控制,例如在电动车的电池管理系统中应用广泛。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP50N06具有较低的导通电阻(RDS(on)),这使得它在开关状态下具有更低的功耗和更高的效率。

    - 高速开关性能:这款MOSFET具有快速的开关速度,能够在高频应用中表现出色,减少开关损耗。

    - 高额定电流:STP50N06能够承受高达50A的连续电流,非常适合高电流需求的应用场合。

    - 耐高压:该器件具有60V的击穿电压,可以在高电压环境中安全工作,保障电路的稳定性。

    - 高输入阻抗:STP50N06的高输入阻抗特性使得它在驱动时只需很小的输入电流,便于与低功率驱动电路连接。

    综上所述,STP50N06凭借其优异的性能和广泛的应用场景,成为电力电子设备中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器还是车载电子设备中,STP50N06都能提供可靠的性能,保障设备的高效稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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