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MOS管STP4NK80ZFP参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STP4NK80ZFP是一款高压N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP4NK80ZFP常用于高效转换器和逆变器,因其高电压承受能力和低导通电阻,可以有效减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 照明设备:在LED驱动电路中,STP4NK80ZFP可作为开关元件,提供稳定的电流驱动LED。它的高压特性使其适合用于大功率LED照明系统。

    3. 电机驱动:在电机控制系统中,STP4NK80ZFP可以作为电机驱动的关键组件,帮助控制电机的启动和停止,并保护系统免受过电压和过流的影响。

    4. 可再生能源系统:在太阳能逆变器和风能转换系统中,STP4NK80ZFP因其耐高压和高效能而被广泛使用,能够承受逆变器中可能出现的高压冲击。

    5. 工业控制:在工业自动化设备中,STP4NK80ZFP可以用于控制和驱动高压负载,如工业加热器、变频器等设备。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STP4NK80ZFP具有800V的漏源极最大电压,这使得它非常适合用于需要高耐压能力的应用场合,如开关电源和逆变器等。

    - 低导通电阻:其典型的导通电阻仅为3.2Ω,在低导通损耗的同时提供高效能的开关特性,适合高效能的电源转换应用。

    - 快速开关速度:STP4NK80ZFP的快速开关速度有助于减少开关损耗,提高电路的整体效率,非常适合高频操作的应用。

    - 低栅极电荷:它的栅极电荷较低,约为22nC,意味着在驱动MOSFET时所需的驱动功率较小,从而降低了驱动电路的复杂性和功耗。

    - 封装特点:采用TO-220FP封装形式,提供良好的散热性能,并且绝缘体设计增强了安全性和可靠性,适合高电压应用场合。

    综上所述,STP4NK80ZFP凭借其高压承受能力、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各类电力电子设备中,是一款非常优秀的N沟道MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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