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MOS管STP4NB50FP参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP4NB50FP是一款具备低导通电阻的功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP4NB50FP在开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统等领域有着广泛的应用。由于其耐高压特性,适用于高压开关电路,能够有效地处理高电压的电力转换和分配。

    2. 照明控制:在照明控制系统中,STP4NB50FP常用于调光器电路,因其良好的开关特性可以提供平稳的调光效果。

    3. 工业控制和家用电器:在工业控制和家用电器的电机驱动部分,STP4NB50FP表现出色,能够承受电机启动和停止时的瞬时电流变化,确保电机运行的稳定性。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STP4NB50FP的漏源电压(V_DS)为500V,能够承受较高的电压,适用于高压应用场景。

    - 高电流承载能力:其最大连续漏极电流(I_D)为4A,能处理中等功率的电流负载。

    - 快速开关:STP4NB50FP的栅极电荷(Q_g)较低,约为25nC,能够快速开关,减少开关损耗,提高电路效率。

    - 低导通电阻:导通电阻(R_DS(on))为1.7Ω,较低的导通电阻保证了更低的功耗和更高的效率。

    - 良好的散热性能:STP4NB50FP的热阻(R_thJC)为3.1°C/W,良好的散热性能使其在高功率应用中保持稳定。

    综上所述,STP4NB50FP因其高电压承受能力、低导通电阻和良好的散热性能,成为电源管理、工业控制等领域中理想的选择。这些特点不仅提高了设备的性能和效率,还延长了使用寿命。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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