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MOS管STP4NA80FI参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP4NA80FI是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,STP4NA80FI被用于高效开关电源和电压调节器。由于其高电压和低导通电阻特性,它能够有效减少功耗,提高系统效率。

    2. 工业控制设备:在工业自动化和控制设备中,STP4NA80FI通常用于驱动电机和控制负载。其优异的开关特性使其在精确控制方面表现出色,适合用于需要高频开关的场合。

    3. 消费电子产品:在一些消费电子设备中,如LED驱动器和电池管理系统,STP4NA80FI可用于高效的电力转换和分配。它的耐高压能力使其适用于需要高可靠性的应用。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP4NA80FI被用作逆变器中的关键元件,用于将直流电转换为交流电。其高效率和高可靠性使其成为这类应用中的理想选择。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP4NA80FI用于控制车载电源系统和动力系统。其高耐压特性使其能够承受车辆电气系统中的瞬态电压变化。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STP4NA80FI的漏源极电压最大可达800V,这使其非常适合高压应用场合,能够在高压条件下稳定工作。

    - 导通电阻:在典型情况下,STP4NA80FI的导通电阻约为3.3Ω。这一低导通电阻特性有助于减少功耗,提高电路效率。

    - 最大漏极电流:STP4NA80FI能够承受4A的连续漏极电流,这使其适合驱动中等功率负载。

    - 开关速度:该器件具有快速开关特性,典型的开关时间为几百纳秒。这使其在高频应用中表现优异,能够高效处理快速变化的负载。

    - 封装和散热:STP4NA80FI采用TO-220FP绝缘封装,具有良好的散热性能。绝缘封装设计有助于简化散热管理,并提高系统的安全性和可靠性。

    综上所述,STP4NA80FI凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,在电源管理、工业控制、消费电子、太阳能发电和汽车电子等领域有广泛的应用。其设计特点使其在各种高压和高频环境中表现出色,是许多电力电子应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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