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场效应MOS管STP4NM60参数

PD最大耗散功率:69WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP4NM60是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,STP4NM60常用于高效的功率转换和稳压。其低导通电阻和高耐压特性使其成为理想的开关元件,可以提高系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动电路:STP4NM60在电机控制和驱动电路中也有广泛应用。它能够在高电流和高电压条件下可靠工作,适用于各种工业和消费类电机的驱动控制,确保电机平稳运行。

    3. 照明设备:在LED照明和其他智能照明系统中,STP4NM60可以作为开关和调光控制元件。其高效率和低热耗使其适合在需要长时间工作的照明设备中使用,延长设备寿命并降低能耗。

    4. 音频放大器:STP4NM60在高保真音频放大器中用作输出级元件。它能够提供稳定的高功率输出,同时保持低失真和高保真音质,适用于各种高端音频设备。

    5. 太阳能逆变器:STP4NM60在太阳能光伏逆变器中扮演关键角色。其高耐压和高效率特性使其能够处理太阳能电池板产生的高电压,确保能量高效转换并传输到电网或储能设备中。

    二、参数特点:

    - 高耐压:STP4NM60的最大漏源电压(Vds)为600V,这使其能够在高电压应用场合中稳定工作,避免电压击穿。

    - 低导通电阻:STP4NM60的典型导通电阻(Rds(on))为1.5Ω(在Vgs=10V时),这意味着其在导通状态下具有较低的电能损耗,提高了整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:STP4NM60能够承受高达24A的脉冲电流(Idm),适用于需要处理瞬态大电流的应用,如电机启动或突发负载。

    - 快速开关速度:STP4NM60具有快速的开关特性,其典型开关时间在纳秒级,这对于要求高频开关的电源和信号处理电路尤为重要。

    - 低栅极电荷:STP4NM60的总栅极电荷(Qg)为24nC,这使得其在驱动过程中需要的栅极驱动电流较小,有助于减少驱动电路的复杂性和功耗。

    综上所述,STP4NM60以其高耐压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异参数特点,在电源管理系统、电机驱动电路、照明设备、音频放大器和太阳能逆变器等多个应用场景中发挥着重要作用。这些特性不仅确保了设备的高效和稳定运行,还为设计工程师提供了灵活可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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