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场效应MOS管STP4NA60参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:4.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP4NA60是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中,其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP4NA60在电源管理系统中扮演着重要角色,尤其是在开关电源、DC-DC转换器和逆变器中。由于其高电压和低导通电阻的特性,使得它能够高效地转换和调节电能,提升系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP4NA60能够提供稳定且高效的电流输出,适用于直流电机、步进电机等的驱动电路。其快速开关特性保证了电机的响应速度和运行稳定性。

    3. 照明设备:STP4NA60常用于LED驱动电路中。LED照明需要稳定的电流源,而这款MOSFET的高开关频率和低功耗特性,使其成为LED驱动电路中的理想选择,确保了照明设备的高效节能。

    4. 充电器和适配器:在各种电子设备的充电器和适配器中,STP4NA60用于电流控制和稳压,确保了充电过程的高效性和安全性。其耐高压特性使得它在处理不同电压输入时,能够保持稳定的性能。

    5. 消费电子产品:STP4NA60也广泛应用于各种消费电子产品中,如电视、音响系统、家用电器等。这些设备中需要高效的电能转换和稳定的电流供应,而该MOSFET的优越性能完全满足这些要求。

    二、参数特点:

    1. 高电压承受能力:STP4NA60的最大漏源极电压(Vds)为600V,使其能够在高压应用环境下稳定运行。这一特点尤其适用于需要高电压处理能力的电力电子设备。

    2. 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为3.6Ω,保证了在导通状态下的低功耗和高效能。低导通电阻意味着更少的能量损失,提升了整个系统的能效。

    3. 高脉冲电流承受能力:STP4NA60具有优异的脉冲电流承受能力,其最大脉冲漏极电流(Id)可达16A。这使得它在需要高瞬时电流的应用中,如电机启动和瞬态负载变化时,表现出色。

    4. 快速开关速度:其典型的开关时间(tr、tf)分别为20ns和15ns,确保了高速开关的需求。快速开关速度不仅提高了电路的反应速度,还减少了开关损耗,提升了整体效率。

    5. 可靠的热稳定性:STP4NA60的结温范围宽,从-55°C到150°C,能够在极端环境下稳定工作。良好的热稳定性意味着在高温操作环境中仍能保持可靠的性能,延长器件的使用寿命。

    综上所述,STP4NA60凭借其高电压承受能力、低导通电阻、高脉冲电流承受能力、快速开关速度和可靠的热稳定性,成为电力电子领域中不可或缺的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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