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场效应MOS管STP4N80Z参数

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    STP4N80Z是一种高压N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍STP4N80Z的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP4N80Z常用于开关电源的设计中,主要作为主开关管。其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作,同时高效能的开关性能有助于提高电源的转换效率,降低损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动系统中,STP4N80Z作为功率开关器件,可有效控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻和快速开关速度,保证了电机驱动的高效率和可靠性。

    3. 照明系统:STP4N80Z被广泛应用于LED照明和其他高效节能照明系统中。其高压特性和低开关损耗使其成为驱动电路中的理想选择,能够提供稳定的电流输出并延长灯具的使用寿命。

    4. 电池管理系统:在电池充放电管理中,STP4N80Z能够作为保护开关使用,防止过充、过放等情况发生。其高耐压特性确保在电池电压波动较大的情况下,仍能稳定工作。

    5. 太阳能逆变器:STP4N80Z也适用于太阳能光伏系统中的逆变器设计。其高效能和可靠性能够提升太阳能系统的整体效率,减少能源转换过程中的损失。

    二、参数特点:

    1. 高耐压:STP4N80Z的击穿电压为800V,这使其能够在高电压应用场景下稳定工作,适用于需要高电压耐受能力的电路设计中。

    2. 低导通电阻:在导通状态下,STP4N80Z的导通电阻仅为3.6Ω,这意味着在通过大电流时,损耗较低,能够提高系统的整体效率。

    3. 快速开关速度:STP4N80Z具有快速的开关特性,开关时间分别为上升时间(tr)24ns和下降时间(tf)20ns,这对于需要快速响应的电路尤为重要,能有效提高系统的性能。

    4. 低栅极电荷:STP4N80Z的总栅极电荷为46nC,这意味着驱动电路在控制该MOSFET开关时所需的能量较少,有助于提高驱动电路的效率和响应速度。

    5. 高电流能力:STP4N80Z的最大连续漏极电流为4A,能够满足大多数中小功率电源管理和控制系统的需求,确保在高电流工作状态下的稳定性和可靠性。

    综上所述,STP4N80Z以其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、低栅极电荷和高电流能力的优异参数特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、照明系统、电池管理系统和太阳能逆变器等多种电子设备和电源管理系统中。这些特性使得STP4N80Z成为许多工程师在设计高效能和高可靠性电路时的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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