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场效应MOS管STP4N80K5参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP4N80K5是一款高压N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效电力转换和控制的领域。其独特的特性使其在多个应用场景中表现出色。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP4N80K5常用于开关模式电源中,包括计算机电源、手机充电器、LED驱动电源等。其高电压承受能力和快速开关特性使其非常适合在高效能和小体积的开关电源设计中使用。

    2. 电机驱动:在电动工具、电动汽车、家电中的电机驱动应用中,STP4N80K5凭借其出色的耐压和耐流能力,确保电机能够高效、稳定地运行。其低导通电阻和高开关速度有助于减少能量损耗,提高系统效率。

    3. 照明系统:STP4N80K5在LED照明系统中有广泛应用,特别是需要高功率和高效率的照明设备。其高效的电能转换能力和可靠的性能使其成为LED驱动电路中的理想选择。

    4. 逆变器:在太阳能和风能系统的逆变器中,STP4N80K5的高压、高效特性帮助这些设备将直流电转换为交流电,以供家庭或工业使用。其高耐压和低导通损耗确保逆变器能够在高功率输出时保持高效运转。

    5. 电源管理系统:STP4N80K5在各种电源管理系统中同样表现出色,广泛应用于需要精确电源控制的设备中,如通信基站、不间断电源(UPS)等。其高效开关能力和低漏电流特点帮助实现精确的电源管理和高效的能量利用。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STP4N80K5具有800V的高击穿电压,这使其能够在高压环境下稳定工作,适合处理高电压电源转换任务。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻仅为3.6Ω,能够有效减少功率损耗,提高整体系统效率,特别是在高电流应用中显得尤为重要。

    - 快速开关速度:STP4N80K5的快速开关特性(典型的开关时间在纳秒级别)使其非常适合高频率的开关电源和电力转换应用,有助于减少开关损耗,提高系统的动态响应速度。

    - 低栅极电荷:低栅极电荷(典型值为70nC)使得STP4N80K5能够以较低的驱动电流进行操作,这对于减少驱动电路的复杂性和功耗具有重要意义。

    - 可靠的热性能:STP4N80K5具有良好的热性能,结温范围从-55°C到150°C。这使其能够在苛刻的环境条件下稳定工作,并且内置的热保护机制进一步提高了其可靠性。

    通过以上详细分析,STP4N80K5无论是在高效能电源转换、电机驱动、照明系统还是在电源管理系统中,都展示出其优越的性能和可靠性。因此,在这些需要高电压、高效率和高可靠性的应用中,STP4N80K5无疑是一个理想的选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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