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场效应MOS管STP45N65M5参数

PD最大耗散功率:210WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.078ΩVRDS(ON)ld通态电流:17.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP45N65M5是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种高效电力转换和管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP45N65M5在开关电源中,常用于主功率开关管,以实现高效的电能转换。其快速开关速度和低导通电阻有助于减少功率损耗,提高整体效率。

    2. 不间断电源(UPS):STP45N65M5在UPS系统中扮演关键角色,提供稳定可靠的电力转换和管理,确保在断电时能迅速切换到备用电源,从而保护重要设备的正常运行。

    3. 电动汽车(EV):电动汽车的电力管理系统需要高效可靠的功率元件。STP45N65M5因其优异的电气特性,广泛应用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动系统中。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,逆变器负责将直流电转换为交流电。STP45N65M5的高效性能和耐用性使其成为理想的选择,确保高效稳定的电能转换。

    5. 工业控制系统:工业自动化和控制系统对功率元件的性能要求非常高。STP45N65M5凭借其高可靠性和耐用性,在这些系统中广泛应用,为各种工业设备提供高效的电力控制和管理。

    二、参数特点:

    - 耐压高:STP45N65M5的漏源极电压(Vds)高达650V,使其适用于高压环境下的应用,如电动汽车和工业控制系统。

    - 低导通电阻(Rds(on)):其导通电阻非常低,在最大额定电流下仅为0.045欧姆,这有助于减少导通损耗,提高效率,特别是在高频开关应用中。

    - 高额定电流:STP45N65M5的最大额定连续漏极电流(Id)为45A,这使其能够处理较大的电流,适用于大功率应用,如UPS和电动汽车。

    - 快速开关速度:其开关速度快,开通和关断时间分别为典型值25ns和60ns。这一特性使其在高频应用中能显著提高效率,减少开关损耗。

    - 低栅极电荷(Qg):STP45N65M5的总栅极电荷约为140nC,这意味着其在开关过程中所需的能量较低,有助于降低驱动损耗,提高整体系统效率。

    综上所述,STP45N65M5以其高耐压、低导通电阻、高额定电流、快速开关速度和低栅极电荷等优异参数,成为各种高效电力转换和管理系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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