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场效应MOS管STP45N10F7参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.018ΩVRDS(ON)ld通态电流:22.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP45N10F7是一种N沟道功率MOSFET,具有高电流承载能力和低导通电阻,被广泛应用于各种电源管理和开关电路中。本文将详细介绍STP45N10F7的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP45N10F7在电源管理系统中非常常见。它能够在低电压情况下处理高电流,使其非常适合用于DC-DC转换器和AC-DC电源转换器。这些电源管理系统广泛应用于计算机、服务器和通信设备中。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP45N10F7能够有效地控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电机驱动的高效率和可靠性,常见于电动车、工业自动化设备和机器人系统中。

    3. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,STP45N10F7常用于太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。它的高效能和可靠性确保了逆变器的长期稳定运行,提高了整体系统的能源转换效率。

    4. 电池管理系统:STP45N10F7在电池管理系统中用于控制充电和放电过程,确保电池的安全和长寿命。它广泛应用于电动汽车、便携式电子设备和储能系统中。

    5. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STP45N10F7作为主开关器件,提供高效的电能转换和传输。其低导通电阻和高开关速度使其在计算机电源、家用电器电源和工业电源中表现出色。

    二、参数特点:

    - 最大漏极电流(ID):STP45N10F7的最大漏极电流为45A,这意味着它能够承载高达45安培的电流,非常适合高电流应用场景。

    - 导通电阻(RDS(on)):该器件的典型导通电阻为0.016Ω,这个低导通电阻确保了在高电流通过时功耗最小,提高了整体效率。

    - 漏源电压(VDS):STP45N10F7的最大漏源电压为100V,这使得它适用于需要处理较高电压的应用。

    - 栅极电荷(Qg):该器件的栅极电荷为95nC,较低的栅极电荷确保了快速开关速度,从而提高了转换效率并减少了功率损耗。

    - 工作温度范围:STP45N10F7能够在-55°C到175°C的宽温度范围内工作,这意味着它在各种极端环境下都能保持稳定的性能。

    综上所述,STP45N10F7以其卓越的电流承载能力、低导通电阻、高开关速度和宽工作温度范围,被广泛应用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统和开关电源等多种领域。它的这些优异参数特点使其成为各类高效能电子电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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