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场效应MOS管STP40N60M2参数

PD最大耗散功率:250WID最大漏源电流:34AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.088ΩVRDS(ON)ld通态电流:17AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP40N60M2是一款高压功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),具有优越的性能和广泛的应用场景。本文将详细介绍STP40N60M2的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP40N60M2常用于各种电源管理系统中,尤其是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。由于其高效率和低导通电阻,这款MOSFET可以有效降低能量损耗,提高系统的整体性能。

    2. 逆变器和变频器:在光伏逆变器和工业变频器中,STP40N60M2被广泛应用。其高耐压和高频率操作能力,使其在这些需要高效能和可靠性的设备中表现出色。

    3. 电动汽车:STP40N60M2也应用于电动汽车的驱动系统中。其高功率和高可靠性可以满足电动汽车对电力电子元器件的严苛要求,确保车辆运行的安全性和稳定性。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,STP40N60M2常用于电机驱动和控制电路中。其高效能和低热阻特性,可以提高设备的工作效率,延长使用寿命。

    5. 家用电器:STP40N60M2在现代家用电器中,如洗衣机、冰箱和空调等,也有广泛应用。其低功耗和高可靠性,有助于家电的节能和长期稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高电压承受能力:STP40N60M2的主要特点之一是其高电压承受能力,能够承受高达600V的漏源电压(Vds)。这一特性使其适合在高压环境中工作,提供了更广泛的应用空间。

    - 低导通电阻:STP40N60M2具有非常低的导通电阻(Rds(on)),典型值为0.065欧姆。这意味着在导通状态下,该器件的电能损耗极低,能够大幅提高电路的效率。

    - 高开关速度:STP40N60M2具有高开关速度,这对于需要快速切换的应用场景非常重要。其快速开关能力能够有效减少开关损耗,提高系统的整体效率和响应速度。

    - 大电流能力:STP40N60M2的最大连续漏极电流(Id)可达40A,这使其能够处理大电流负载,适用于大功率应用场合。其强大的电流处理能力确保了设备在高负荷下的稳定运行。

    - 热阻低:STP40N60M2具有低热阻(Rth(j-c)),典型值为0.25°C/W。这意味着该器件在高功率工作时,能够有效地散热,保持较低的工作温度,从而提高可靠性和使用寿命。

    综上所述,STP40N60M2以其高电压、高电流、低导通电阻、高开关速度和低热阻等优异性能,被广泛应用于电源管理、逆变器、电动汽车、工业自动化和家用电器等领域。其可靠性和高效能使其成为众多高性能电子设备中的重要元器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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