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MOS管STP3NK60ZFP参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:2.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STP3NK60ZFP是一种高压N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动器、光伏逆变器等领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP3NK60ZFP在开关电源中作为主开关管,用于提高电源转换效率。

    2. 电机驱动器:在电机驱动器中,STP3NK60ZFP用于控制电机的启停和转速,因其低导通电阻和高耐压特性,能够有效降低损耗,提升系统效率。

    3. 光伏逆变器:在光伏逆变器中,STP3NK60ZFP用于DC-AC转换,保证系统的高效能量转换。

    4. 其他工业应用:由于其良好的开关性能和热管理能力,STP3NK60ZFP适用于电源管理、适配器和其他工业应用场景。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):STP3NK60ZFP的最大漏源电压为600V,适用于高压应用场合。

    - 连续漏极电流(ID):在25°C环境下,最大可承受3A的连续电流。

    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为2.2Ω,具有较低的导通损耗,有助于提高整体系统效率。

    - 栅极电荷(Qg):STP3NK60ZFP栅极电荷较小,约为9nC,有助于实现快速开关速度,从而减少开关损耗。

    - 热特性:该器件具备良好的热管理能力,封装形式为TO-220FP,有助于在高功率应用中有效散热。

    综上所述,STP3NK60ZFP具有高耐压、低导通电阻和较低的栅极电荷等特点,使其在高效能量转换和电流控制中表现突出。其优异的电气特性和可靠的热管理性能,使得STP3NK60ZFP成为多种电子设备中的理想选择,尤其是在需要高效开关和稳健散热的应用场景中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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