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MOS管STP3NB60FP参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP3NB60FP是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP3NB60FP常用于高效转换和调节电压。其低导通电阻和快速开关特性使其成为优化电源效率和减少能量损耗的理想选择。

    2. 电动机驱动:在电动机控制系统中,STP3NB60FP因其优异的开关性能和高电流处理能力,被广泛应用于无刷直流电动机和步进电动机的驱动电路中,提供可靠的动力传输和精确的速度控制。

    3. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器中,STP3NB60FP用作高频开关元件,帮助实现高效的直流到交流转换,广泛用于太阳能发电系统、风力发电系统以及工业变频器中。

    4. 照明系统:在LED照明和其他高效照明系统中,STP3NB60FP的高效率和高可靠性使其成为驱动LED和控制电流的理想元件,确保稳定的光输出和长寿命。

    5. 电池管理系统:在电池管理和保护电路中,STP3NB60FP被用于控制充电和放电过程,提供过流保护和短路保护,延长电池寿命并提高系统安全性。

    二、参数特点:

    1. 最大漏源电压(Vds):STP3NB60FP的最大漏源电压为600V,适用于高压应用,能够在高压环境中稳定运行,确保设备安全。

    2. 导通电阻(Rds(on):STP3NB60FP的导通电阻较低,仅为1.5Ω(典型值),这意味着在导通状态下电流通过时的损耗较小,提高了整体电路效率。

    3. 漏电流(Id):STP3NB60FP能够处理高达2.8A的连续漏电流,适合中等功率需求的应用场景,提供足够的电流处理能力。

    4. 栅极电荷(Qg):STP3NB60FP的栅极电荷为26nC,这表明其在开关过程中能够实现快速响应,减少开关损耗,提高开关速度。

    5. 工作温度范围:STP3NB60FP的工作温度范围为-55°C到150°C,能够在广泛的温度条件下可靠运行,适应各种严苛的工作环境。

    综上所述,STP3NB60FP凭借其优越的电气性能和广泛的应用场景,成为各类电力电子设备中的理想选择。在实际应用中,STP3NB60FP不仅提高了系统效率,还增强了设备的可靠性和安全性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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