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场效应MOS管STP3NB90FP参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:4.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP3NB90FP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,其具有优异的性能和广泛的应用场景。以下内容详细介绍STP3NB90FP的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP3NB90FP常用于开关电源(SMPS)中,特别是在高压电源转换中表现出色。由于其低导通电阻和高击穿电压,它能够在高效能和高可靠性之间取得良好平衡,使其成为电源设计中的理想选择。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,STP3NB90FP表现出色。其快速开关速度和低功耗特点使其在直流电机和无刷直流电机(BLDC)控制系统中广受欢迎。这种高性能的MOSFET能够提供稳定的电流输出,从而提高电机的运行效率和寿命。

    3. 逆变器:STP3NB90FP还被广泛应用于逆变器中。无论是太阳能光伏逆变器还是不间断电源(UPS),STP3NB90FP都能通过其高电压耐受能力和高效能开关特性,保证逆变器的高效稳定运行。

    4. 工业自动化:在工业自动化领域,STP3NB90FP也是不可或缺的元件。其在各种控制电路和驱动电路中的应用,为自动化设备提供了可靠的电力控制解决方案,从而提升了设备的可靠性和效率。

    5. 通信设备:STP3NB90FP在通信设备中也有重要应用。其高频率响应和高可靠性,使其适用于通信基站和其他高要求的通信设备,确保信号的稳定传输和设备的长时间可靠运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STP3NB90FP的击穿电压高达900V,使其适用于高压应用场景。这一特性确保了在高压条件下的安全性和可靠性,减少了击穿风险。

    - 低导通电阻:STP3NB90FP的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为3.3Ω。这一特点显著降低了功耗,提高了效率,尤其在高电流应用中更为显著。

    - 快速开关速度:STP3NB90FP具有快速开关特性,其开关时间极短。这种快速开关能力在需要高频操作的应用中表现尤为出色,如开关电源和逆变器,能够显著提高整体电路的效率。

    - 高可靠性:STP3NB90FP设计具有高可靠性,能够在恶劣环境下稳定工作。其在高温、高压条件下仍能保持优异性能,适用于工业和户外等各种严苛应用环境。

    - 低栅极电荷:STP3NB90FP的低栅极电荷(Qg)特性,使其在驱动时所需的能量较少,从而进一步降低了功耗。这一特性对于需要高效能的应用场景,如电源管理和电机驱动,具有重要意义。

    综上所述,STP3NB90FP凭借其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度、高可靠性和低栅极电荷等优异参数特点,广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、工业自动化和通信设备等领域,成为众多高性能电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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