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场效应MOS管STP3NA60FI参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:2.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:4ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP3NA60FI是一种N沟道功率MOSFET,主要应用在以下场景:

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STP3NA60FI常被用作高效开关元件。其低导通电阻和快速开关速度有助于提高电源转换效率,减少热量产生和功耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STP3NA60FI可用于控制电流的流动,从而实现电机的启动、停止和速度控制。其高电流承载能力和耐压特性使其成为可靠的选择。

    3. 照明设备:在LED驱动电路中,STP3NA60FI可以用于稳压和调光电路,确保LED灯具的稳定运行和高效能。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中,STP3NA60FI可以用作关键的开关元件,帮助将直流电转换为交流电,确保系统的稳定和高效。

    5. 工业控制系统:在各种工业控制系统中,STP3NA60FI常用于功率控制模块,如可编程逻辑控制器(PLC)和数控机床,提供高效和可靠的功率控制。

    二、参数特点:

    - 额定电压:STP3NA60FI的漏源极击穿电压(Vds)高达600V,这使其适用于高电压应用场景,提供了良好的电压耐受能力。

    - 导通电阻:STP3NA60FI的典型导通电阻(Rds(on))为3.2欧姆,这意味着在工作时其损耗较低,能量效率较高,有助于减少热量的产生。

    - 最大漏极电流:在25°C环境温度下,STP3NA60FI的连续漏极电流(Id)可以达到3A,脉冲漏极电流则可以高达12A,适应各种高电流需求的应用。

    - 栅极电荷:STP3NA60FI的总栅极电荷(Qg)为23nC,较低的栅极电荷意味着它能够以较低的驱动功率实现快速开关。

    - 热特性:STP3NA60FI具有优良的热特性,最大结温(Tj)为150°C,并且封装为TO-220F,这种封装具有良好的热管理性能,有助于散热。

    综上所述,STP3NA60FI作为一款高效的N沟道功率MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻、良好的电流承载能力和快速开关特性,在开关电源、电机驱动、照明设备、逆变器和工业控制系统等多个应用场景中展现出极大的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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