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场效应MOS管STP3NA50参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:3.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP3NA50是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍STP3NA50的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP3NA50在电源管理系统中发挥着重要作用。它能够有效地控制电流,保证电源的稳定输出。这种应用场景包括计算机电源、手机充电器以及各种开关电源中,利用其低导通电阻和高开关速度,能够显著提高电源效率并减少能量损耗。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等设备中,STP3NA50被用于控制电动机的运转。其高耐压和大电流处理能力,能够保证电动工具在高负载下稳定运行,同时提供可靠的过流保护。

    3. 工业自动化:STP3NA50还被广泛应用于工业自动化设备中,如PLC控制系统、机器人控制器等。其高频开关特性和耐高压特性,使其在高速控制和高压环境中表现出色,确保工业设备的精确和稳定运行。

    4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,逆变器是关键组件之一。STP3NA50在光伏逆变器中用于DC-AC转换过程,通过其高效的开关能力和低损耗特性,提高整体系统的转换效率,降低发热量和功耗。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,STP3NA50用于输出级电路。其高电流处理能力和低导通电阻,可以提供纯净而强劲的音频信号输出,使音响系统在高功率输出时仍能保持良好的音质表现。

    二、参数特点:

    - 高耐压性:STP3NA50的漏源极最大电压(Vds)为500V,使其在高电压应用场景中依然能够稳定工作,适用于要求耐高压的设备和系统。

    - 低导通电阻:STP3NA50具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为3.6Ω。这意味着在电流通过时,能量损耗较低,有助于提高电路效率并减少发热量。

    - 大电流处理能力:STP3NA50的最大连续漏极电流(Id)为3A,在短时间脉冲条件下可以处理更高的电流。这使其适用于高电流需求的应用,如电动工具和音频放大器。

    - 快速开关速度:STP3NA50的开关速度非常快,这使其在高频开关电源和高速信号处理应用中表现出色,能够显著提高系统的响应速度和效率。

    - 耐高温性能:STP3NA50的结温最大可达150摄氏度,具备优异的耐高温性能。这使其在环境温度较高的应用场景中依然能够稳定可靠地运行,延长设备的使用寿命。

    综上所述,STP3NA50作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,以其优异的电气特性和广泛的应用场景,在电源管理、工业自动化、电动工具、光伏逆变器和音频放大器等领域都展现了不可替代的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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