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场效应MOS管STP3NA100参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:1000VRDS(ON)Ω内阻:5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP3NA100是一款意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备和电路设计中。它具有一系列优越的性能特点,适用于多种应用场景。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP3NA100常用于开关电源、DC-DC转换器和电源适配器中。在这些应用中,STP3NA100的高击穿电压和低导通电阻使其在高效能转换和功率管理中表现出色,有助于提高电源的稳定性和效率。

    2. 电机控制:在电机驱动电路中,STP3NA100因其快速开关特性和耐高压能力,成为步进电机和直流电机驱动的理想选择。它可以有效减少功率损耗,提高系统整体性能。

    3. 照明系统:STP3NA100适用于LED驱动电路和智能照明控制系统。其高效的开关性能和低导通电阻,确保了LED灯具的高亮度和长寿命,同时节约能源。

    4. 音频放大器:在高保真音频放大器设计中,STP3NA100的线性性能和低失真特性,使其能够提供清晰、逼真的音质效果,是高端音响设备中的理想器件。

    5. 电池管理系统:STP3NA100可用于电动汽车和储能系统的电池管理中。其高可靠性和低功耗特性,确保了电池系统的高效管理和长寿命。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):STP3NA100的击穿电压高达100V,使其能够承受较高的工作电压,适合高压环境下的应用。

    - 导通电阻(Rds(on):该型号的导通电阻低至0.1Ω(典型值),在导通状态下能有效降低功率损耗,提高系统的效率和稳定性。

    - 额定电流(Id):STP3NA100的额定电流为3A,适合中等功率的电流需求,广泛适用于各种驱动电路和电源管理应用。

    - 栅极电荷(Qg):低栅极电荷(最大值12nC)使得STP3NA100具备快速开关能力,适合高频开关应用,减少开关损耗,提高整体效率。

    - 工作温度范围:STP3NA100具有宽广的工作温度范围(-55°C至150°C),确保其在各种严苛环境下的可靠运行,适用于工业和汽车电子领域。

    综上所述,STP3NA100作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其优异的电气参数和可靠性,广泛应用于电源管理、电机控制、照明系统、音频放大器和电池管理系统等多个领域。其高击穿电压、低导通电阻、快速开关特性以及广泛的工作温度范围,使其成为各类电子设计中的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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