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场效应MOS管STP3N150参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:1500VRDS(ON)Ω内阻:9ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP3N150是一款常用的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于多种应用场景,其参数特点使其在电力控制和功率放大等领域表现出色。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:STP3N150的低导通电阻和高开关速度使其成为电源开关的理想选择。在交流至直流转换器(AC-DC converters)和直流至直流转换器(DC-DC converters)中,STP3N150可有效控制电源的输出。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STP3N150可作为电机驱动器的一部分,用于控制电机的速度和转向。其高耐压和低开通电阻特性有助于提高电机系统的效率和性能。

    3. 照明应用:在LED驱动和其他照明应用中,STP3N150可用作电路中的开关元件,控制电流的流动和LED的亮度调节。

    4. 电源逆变器:STP3N150在电源逆变器中扮演重要角色,用于将直流电转换为交流电,常见于太阳能逆变器和电动车充电器等设备中。

    5. 功率放大器:作为功率放大器的关键组成部分,STP3N150能够放大输入信号的功率,常见于音频放大器和射频放大器等设备中。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STP3N150具有低导通电阻,可降低开通状态时的功耗,提高系统效率。

    2. 高耐压(VDS):STP3N150的高耐压特性使其能够承受较高的电压,适用于各种高压应用场景。

    3. 快速开关速度:该器件具有快速的开关速度,有助于减少开通和关断时的能量损失,提高系统响应速度。

    4. 高电流承受能力:STP3N150能够承受较大的电流,适用于需要高功率处理能力的应用场景。

    5. 热稳定性:由于其设计考虑了热稳定性,STP3N150在高温环境下能够保持稳定的性能,延长了器件的使用寿命。

    综上所述,STP3N150的出色特性使其成为各种功率电子应用中的首选元件之一,为电力控制和功率放大提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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