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场效应MOS管STP34NM60N参数

PD最大耗散功率:210WID最大漏源电流:29AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.105ΩVRDS(ON)ld通态电流:14.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP34NM60N是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP34NM60N常用于电源管理系统中,特别是开关电源(SMPS)和电池管理系统(BMS)。它的高开关速度和低导通电阻使其在这些应用中能够有效地提高转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP34NM60N可以用作逆变器的开关器件。其高电流处理能力和可靠的热性能使其适合于各种类型的电机控制,如直流电机、无刷电机和步进电机。

    3. 光伏逆变器:STP34NM60N在光伏逆变器中发挥关键作用。它能够处理高电压和大电流,确保太阳能电池板产生的电能高效地转换为交流电并输送到电网中。

    4. 不间断电源(UPS):STP34NM60N常被用于UPS系统中,作为主要开关器件,确保在电源故障时能够快速切换到备用电源,同时保持高效率和稳定的电能输出。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,STP34NM60N能够提供低失真和高线性的放大效果。其高开关速度和低导通电阻特性有助于实现卓越的音频性能。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(Vds):STP34NM60N的最大漏源电压为600V,这使其能够在高电压应用中提供可靠的性能。

    - 导通电阻(Rds(on)):其典型的导通电阻仅为0.075Ω,低导通电阻使其在高电流条件下减少功率损耗,提高系统效率。

    - 漏极电流(Id):STP34NM60N具备高达34A的连续漏极电流能力,这使其适用于需要处理大电流的应用场合。

    - 门极电荷(Qg):STP34NM60N的总门极电荷为130nC,较低的门极电荷意味着它在开关过程中能够更快地响应,提高整体系统的开关速度。

    - 热阻(Rthj-c):其典型的结壳热阻为0.4°C/W,这表明其具有优异的散热性能,能够在高功率应用中保持稳定的工作温度。

    通过以上详细介绍,可以看出STP34NM60N在多个领域中都有广泛应用,其卓越的参数特性确保了其在各种高性能、高效率应用中的可靠性和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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