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场效应MOS管STP34N65M5参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.11ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP34N65M5是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括但不限于以下几种。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中,STP34N65M5广泛用于高效能量转换。其高耐压和低导通电阻特点使其在这些应用中能够提供高效率和可靠的性能。

    2. 不间断电源(UPS):STP34N65M5在UPS系统中应用广泛,主要用来控制和管理电流流动,确保在电源中断时能够迅速切换到备用电源,保持系统的稳定运行。

    3. 电动汽车充电器:随着电动汽车市场的迅速扩展,对高效可靠的充电设备的需求也在增加。STP34N65M5凭借其出色的开关性能和高电流处理能力,成为电动汽车充电器中的重要元件。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化领域,STP34N65M5用于各种电机控制器和工业电源中,以提供高可靠性和高效能的电力管理和转换。

    5. 太阳能逆变器:STP34N65M5也广泛应用于太阳能逆变器中,帮助实现直流电到交流电的高效转换,从而提高整个太阳能系统的效率和稳定性。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:STP34N65M5的漏源击穿电压(Vds)高达650V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高耐压元件的应用场景。

    - 低导通电阻:该型号的导通电阻(Rds(on))极低,仅为0.09Ω。这意味着在导通状态下,STP34N65M5能够有效降低功耗,提高整体系统的能效。

    - 高脉冲电流承载能力:STP34N65M5能够承受高达136A的脉冲电流,这使其在需要处理大电流瞬变的应用中表现尤为出色。

    - 快速开关速度:由于其内部结构优化设计,STP34N65M5具有极快的开关速度,能够实现高频率的开关操作,这对于高效能量转换和降低系统开关损耗非常关键。

    - 优良的热性能:STP34N65M5采用先进的封装技术,具有良好的热传导性能,能够在高功率条件下保持较低的结温,从而提高器件的可靠性和使用寿命。

    综上所述,STP34N65M5作为一款高性能的MOSFET,在电源转换器、不间断电源、电动汽车充电器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等多种应用中表现卓越,其高耐压、低导通电阻、高脉冲电流承载能力、快速开关速度以及优良的热性能,使其成为众多工程师的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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