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场效应MOS管STP2N80参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:2.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP2N80是一种高电压、高功率的N通道功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电力电子设备中。本文将详细介绍STP2N80的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP2N80在开关电源中应用广泛,尤其适用于高效能、高功率转换的电路。其高耐压特性使其能在高电压环境中可靠运行,从而提高电源的稳定性和效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动器中,STP2N80可用于控制直流电机和无刷电机。其快速开关特性和低导通电阻使得电机控制更加精准,并减少能量损耗,提升整体系统的性能。

    3. 逆变器:STP2N80常用于逆变器中,将直流电转换为交流电。其高耐压和高电流处理能力使其能够在逆变器中高效运行,提供可靠的电能转换。

    4. 照明设备 :在现代照明设备中,STP2N80被用来驱动大功率LED灯具。其高效率和低热量特性,有助于延长灯具寿命和提升光效。

    5. 不间断电源:STP2N80在UPS系统中发挥重要作用,确保在电力中断时依然能够提供持续、稳定的电力供应。其高效能和高可靠性,满足了UPS系统对元件性能的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 电压和电流参数:STP2N80的漏源极最大耐压 (Drain-Source Voltage, VDS) 为800V,能够处理高电压应用。其最大漏极电流 (Drain Current, ID) 为2A,适用于中高功率的电路设计。

    - 导通电阻 (RDS(on)):该型号的导通电阻极低,仅为3.5Ω,这意味着在工作状态下,STP2N80的电能损耗较低,提高了电路的整体效率和性能。

    - 开关特性:STP2N80具有快速开关特性,其开通时间 (Turn-on Time) 和关断时间 (Turn-off Time) 分别约为10ns和100ns,使其能够在高频率的开关电路中高效运行。

    - 热特性:该型号的最大结温 (Junction Temperature, TJ) 为150°C,具有优良的热稳定性,确保在高温环境中依然能够可靠运行。同时,其低热阻 (Thermal Resistance, RthJC) 为62.5°C/W,利于散热管理。

    - 封装形式:STP2N80通常采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,方便在各种应用场景中进行安装和维护。

    综上所述,STP2N80作为一款高性能的功率MOSFET,在各种电力电子设备中都有着广泛的应用,其高耐压、低导通电阻、快速开关和优良的热特性,使其成为电源转换、驱动和保护电路中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器、照明设备还是不间断电源中,STP2N80都展现了其出色的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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