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场效应MOS管STP2N62K3参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP2N62K3是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要应用在各种需要高效率和高可靠性的电源转换和控制电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在AC-DC和DC-DC开关电源中,STP2N62K3常被用于功率开关管。其高击穿电压和低导通电阻使其能够高效地转换电能,减少能量损耗,从而提高电源的整体效率。

    2. 电动工具:STP2N62K3适用于电动工具的控制电路,如电钻、电锯等。这类应用需要高电流处理能力和快速开关特性,而STP2N62K3的参数特点正好满足这些需求。

    3. 家电控制:在洗衣机、冰箱等家用电器的控制电路中,STP2N62K3能够提供可靠的功率控制和转换功能,确保家电的高效运行和长寿命。

    4. LED驱动器:在LED照明系统中,STP2N62K3用于驱动电路的开关部分,其高效率和高耐用性能够确保LED灯具稳定、长时间地工作。

    5. 电动汽车充电器:电动汽车充电器要求高效率和高可靠性,STP2N62K3在这类应用中能够有效地处理高电流和高电压,提供稳定的充电电流。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STP2N62K3的最大漏源击穿电压(Vds)为620V,这使其能够在高压应用中提供可靠的性能,防止电路因过压而损坏。

    - 低导通电阻:其最大导通电阻(Rds(on))仅为2.1Ω,这意味着在开关状态下,STP2N62K3能有效降低能量损耗,提高电路的整体效率。

    - 高脉冲电流能力:STP2N62K3的最大脉冲漏电流(Id)可达8A,适用于需要处理高电流脉冲的应用场景,如电机驱动和电源转换。

    - 快速开关速度:STP2N62K3具有较快的开关速度,其典型的开关时间(t-on和t-off)分别为10ns和25ns,适合高频开关电路应用,能够提高系统的响应速度和效率。

    - 坚固的封装:STP2N62K3采用TO-220封装,提供良好的散热性能和机械稳定性,适合在各种恶劣环境中使用,同时便于安装和散热管理。

    综上所述,STP2N62K3以其高击穿电压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度和坚固的封装特点,广泛应用于开关电源、电动工具、家电控制、LED驱动器和电动汽车充电器等领域,是一款高效、可靠的功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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