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场效应MOS管STP2N105K5参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:1.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:1050VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP2N105K5是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP2N105K5在电源管理系统中被广泛使用,特别是开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。由于其低导通电阻和高开关速度,STP2N105K5能够有效减少能量损耗,提高转换效率,从而在提高设备性能的同时降低能耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动应用中,STP2N105K5的高电流承载能力和耐用性使其成为理想选择。它能够处理高频率的开关操作,确保电机的平稳运行,同时提供良好的热管理性能,延长电机和驱动系统的使用寿命。

    3. 照明系统:在现代照明系统,尤其是LED照明中,STP2N105K5被广泛用于驱动电路。其高效率和低热耗特性使得它在保持亮度和稳定性的同时,能够减少能耗和热量的产生,延长LED灯具的使用寿命。

    4. 太阳能逆变器:太阳能发电系统中的逆变器需要高效可靠的开关器件来处理从直流到交流的转换。STP2N105K5以其优异的开关性能和低损耗特点,能够满足逆变器对效率和可靠性的严格要求,从而提高整个太阳能系统的发电效率。

    5. 消费电子:在各种消费电子产品如智能手机、笔记本电脑和其他便携设备中,STP2N105K5常被用作电源管理模块的一部分。它能够在小型化电路中提供高效能量管理,支持设备长时间运行,并确保稳定的性能表现。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP2N105K5具有极低的导通电阻(R_DS(on)),这使得它在导通状态下的电流损耗非常小。低导通电阻不仅提高了整体效率,还减少了器件的发热量,延长了器件和系统的使用寿命。

    - 高耐压能力:STP2N105K5的漏源极电压(V_DS)高达1050V,能够处理高电压环境下的开关操作。这使其在高压应用中具有出色的可靠性和安全性,满足各种工业和电力系统的需求。

    - 高开关速度:STP2N105K5的高开关速度使其在高频应用中表现优异。快速的开关速度不仅能提高电路的工作频率,还能减少开关损耗,进一步提升系统效率。

    - 优异的热管理性能:STP2N105K5采用先进的封装技术,具有优异的热管理性能。低热阻的封装设计确保了在高功率操作下器件的热量能迅速散发,保持较低的结温,从而提高了器件的可靠性和寿命。

    - 坚固的构造:STP2N105K5具有坚固的构造,能够承受各种严苛的工作环境。这包括高温、高湿和机械应力等,使其在各种工业和户外应用中都能保持稳定的性能。

    综上所述,STP2N105K5以其低导通电阻、高耐压能力、高开关速度、优异的热管理性能和坚固的构造,成为各种高效能应用的理想选择。它在电源管理、电机驱动、照明系统、太阳能逆变器和消费电子等领域中发挥着重要作用,确保了设备的高效、稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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