PD最大耗散功率:170WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源系统:STP28N60M2可广泛应用于电源系统中,如开关电源和电力逆变器。其低导通电阻和高击穿电压使其成为这些应用中的理想选择。
2. 电机控制:STP28N60M2在电机控制领域发挥着重要作用。它能够有效地控制电机的功率输出,提高系统的效率和稳定性。
3. 光伏逆变器:作为另一个重要的应用领域,STP28N60M2可用于提高光伏系统的能量转换效率和电能输出质量。
二、参数特点:
1. 低导通电阻:STP28N60M2具有较低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在导通状态下,它能够提供更小的电压降,减少能量损耗,并提高系统效率。
2. 高耐压特性:这款晶体管能够承受较高的击穿电压,保证了系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
3. 内部保护功能:具有内部集成的保护功能,能够在面对过电流、过温度等异常情况时及时断开电路,保护整个系统的安全运行。
4. 优异的开关特性:具有快速的开关速度和较小的开关损耗,使得STP28N60M2能够在高频率的开关电源和逆变器中表现出色。
5. 温度稳定性良好:STP28N60M2能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能,适用于各种环境条件下的工作需求。
综上所述,STP28N60M2作为一款高性能功率MOSFET,具有广泛的应用前景,并且在各种高功率应用场景下表现出色,是工程设计中的重要组成部分。
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