收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STP28N60M2参数

场效应MOS管STP28N60M2参数

PD最大耗散功率:170WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:11AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STP28N60M2是一款功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于各种高功率应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源系统:STP28N60M2可广泛应用于电源系统中,如开关电源和电力逆变器。其低导通电阻和高击穿电压使其成为这些应用中的理想选择。

    2. 电机控制:STP28N60M2在电机控制领域发挥着重要作用。它能够有效地控制电机的功率输出,提高系统的效率和稳定性。

    3. 光伏逆变器:作为另一个重要的应用领域,STP28N60M2可用于提高光伏系统的能量转换效率和电能输出质量。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:STP28N60M2具有较低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在导通状态下,它能够提供更小的电压降,减少能量损耗,并提高系统效率。

    2. 高耐压特性:这款晶体管能够承受较高的击穿电压,保证了系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。

    3. 内部保护功能:具有内部集成的保护功能,能够在面对过电流、过温度等异常情况时及时断开电路,保护整个系统的安全运行。

    4. 优异的开关特性:具有快速的开关速度和较小的开关损耗,使得STP28N60M2能够在高频率的开关电源和逆变器中表现出色。

    5. 温度稳定性良好:STP28N60M2能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能,适用于各种环境条件下的工作需求。

    综上所述,STP28N60M2作为一款高性能功率MOSFET,具有广泛的应用前景,并且在各种高功率应用场景下表现出色,是工程设计中的重要组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号