收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STP24NM65N参数

场效应MOS管STP24NM65N参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STP24NM65N是一款广泛应用于电源管理和开关电源领域的N沟道功率MOSFET。以下是其主要应用场景:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在各种开关电源中,STP24NM65N经常用作高效开关元件。它能够在高频工作下提供低导通电阻和高可靠性,适用于电脑、服务器和通信设备的电源模块。

    2. 电机控制:STP24NM65N在电机驱动电路中也有广泛应用。其低导通电阻和快速开关特性,使其适用于直流电机和无刷电机的控制系统,提升系统的效率和性能。

    3. 照明系统:LED照明驱动电路常使用STP24NM65N来实现高效能量转换和稳定驱动。其在高频开关状态下的性能使其非常适合高亮度LED照明系统。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,STP24NM65N用于电池的充放电控制和保护电路中,确保系统的高效和安全运行。

    5. 太阳能逆变器:STP24NM65N在太阳能逆变器中用于直流到交流转换电路,提升转换效率和系统稳定性,适应不断变化的负载条件。

    二、参数特点:

    1. 耐压高:STP24NM65N的击穿电压(V_DS)高达650V,使其能够在高电压应用场合中稳定工作,适应复杂的电压环境。

    2. 导通电阻低:其典型导通电阻(R_DS(on))仅为0.135Ω(在V_GS为10V时),这保证了其在导通状态下的功耗极低,有助于提升整体电路的效率。

    3. 栅极电荷小:STP24NM65N的栅极电荷(Q_G)较低,约为55nC,这使得其在高频开关时,所需驱动能量较小,提升了开关效率并减少了驱动电路的功耗。

    4. 开关速度快:由于其设计优化,STP24NM65N具有快速的开关速度,能够在高频应用中表现出色,减少开关损耗,适应高效电源转换需求。

    5. 热性能优越:STP24NM65N的热阻(R_thJC)仅为1.1°C/W,结合其设计,能够有效散热,确保在高功率应用中的可靠性和稳定性。

    通过以上对STP24NM65N的详细介绍,可以看出其在多种应用场合中的广泛适用性和卓越性能。其高耐压、低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度和优越的热性能,使其成为现代电子系统中不可或缺的核心元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号