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场效应MOS管STP22NM60N参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.22ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP22NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种功率电子设备中。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合要求高效率和高性能的应用场合。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:STP22NM60N在通信设备中用于电源管理和信号传输的功率控制。例如,用于无线基站和通信网络设备中,确保稳定的电力输出和高效的功率转换。

    2. 汽车电子:在汽车电子控制单元(ECU)、电动汽车控制系统中,STP22NM60N能够提供高效的功率开关控制,保护车载电子设备免受电压波动的影响。

    3. 工业电子:STP22NM60N适用于工业自动化设备、电机驱动器和UPS系统。它的高电流处理能力和稳定性使其在工业环境中能够可靠地操作和长时间运行。

    4. 电源逆变器:用于太阳能逆变器和其他电力转换设备中,STP22NM60N的低导通电阻和高效率的特性能够最大程度地优化能源转换过程。

    二、参数特点:

    1. STP22NM60N具有较低的导通电阻,能够在较小的输入电压下实现较高的电流传输,从而减少功率损耗。

    2. STP22NM60N的开关速度快,响应迅速,适合需要频繁切换和高速开关的电路设计。

    3. 高耐压能力是STP22NM60N的显著特点之一,能够在高电压环境下稳定工作,提供可靠的电路保护和稳定性。

    4. STP22NM60N具备良好的热特性管理,有效散热设计可以确保其在高负载情况下的稳定性和长寿命运行。

    5. 设计工艺上,STP22NM60N采用先进的半导体制造工艺,保证产品质量和一致性,适应不同环境和应用的需求。

    综上所述,STP22NM60N通过其优越的电气特性和稳定性,广泛应用于工业自动化、电源供应和各类功率电子设备,为电子产品提供高效能和可靠性保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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