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场效应MOS管STP21NM60N参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.24ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP21NM60N是一种N沟道功率MOSFET,主要用于高效的开关应用。以下详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:在DC-DC转换器和AC-DC转换器中,STP21NM60N常用于高效能量转换和稳压电路中。由于其低导通电阻和快速开关特性,它能够有效减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 开关电源(SMPS):STP21NM60N经常用在开关电源中,负责电源的开关控制。其高耐压和高电流处理能力使其在高功率开关电源应用中表现出色,如计算机电源和工业电源。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STP21NM60N用于管理电源的切换和调节,确保在电源中断时仍能稳定供电。它的高可靠性和快速响应特性使其在紧急情况下表现良好。

    4. 电动工具:由于其出色的功率处理能力,STP21NM60N也广泛应用于电动工具的电机驱动电路中。这些电动工具包括电钻、电锯和电动螺丝刀等。

    5. 照明系统:在LED照明驱动电路中,STP21NM60N用于控制电流流动,确保LED的亮度和寿命。其高效能和低热损耗使其在照明应用中非常理想。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STP21NM60N的漏源极耐压(Vds)为600V,能够承受较高的电压,这使其适合用于高压环境下的开关应用。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))为0.16Ω,确保了低导通损耗,提高了电路的效率。低导通电阻在高电流应用中尤为重要,因为它减少了功率损耗和热量生成。

    - 高电流处理能力:STP21NM60N的最大连续漏极电流(Id)为21A,能够处理大电流应用。这使其在高功率应用中表现出色,如电源转换和电机驱动。

    - 快速开关速度:该器件具有快速的开关速度,开关时间通常在几十纳秒范围内。这一特性使其在高频应用中表现良好,减少了开关损耗和电磁干扰。

    - 热性能优异:STP21NM60N具有良好的热性能,其结温范围为-55°C至150°C。这确保了在苛刻环境下的稳定运行,并增加了器件的可靠性和使用寿命。

    通过以上详细介绍,可以看出STP21NM60N在多种应用场景中表现优异,具备高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优异的热性能。这些特点使其成为高效能量转换和开关控制的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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