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场效应MOS管STP21NM50N参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.19ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP21NM50N是一种高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力控制系统中。其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP21NM50N在开关电源中起着关键作用。它可以用作开关元件,利用其高开关速度和低导通电阻来提高电源的效率和可靠性。由于STP21NM50N的出色性能,它可以在高频率下稳定工作,适合用于DC-DC转换器和AC-DC电源中。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP21NM50N可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压和大电流处理能力使其适合用于各种类型的电机控制电路,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动器。

    3. 不间断电源(UPS):STP21NM50N在不间断电源系统中也发挥着重要作用。它能够快速响应电力波动,提供稳定的电力输出,保护敏感电子设备免受电压突变的影响。其高效能和可靠性使其成为UPS系统中的理想选择。

    4. 电动工具:许多现代电动工具需要高效的电力转换和控制。STP21NM50N的高电流处理能力和高效能使其适合用于这些工具的电力管理系统中,确保工具在各种操作条件下都能稳定运行。

    5. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,STP21NM50N可以用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效能和耐用性确保了光伏系统的高效能量转换和长期可靠运行。

    二、参数特点:

    1. 高耐压能力:STP21NM50N具有高达500V的漏源极耐压(V_DS),使其适合用于高压环境中的应用。这个高耐压能力确保了器件在高电压条件下的安全性和可靠性。

    2. 低导通电阻:STP21NM50N的导通电阻(R_DS(on))低至0.18Ω,这有助于减少功率损耗,提高电路的整体效率。低导通电阻意味着在导通状态下,MOSFET的功耗更低,从而提高了系统的能效。

    3. 高电流处理能力:STP21NM50N的连续漏极电流(I_D)可达21A,这使其能够处理大电流负载,适用于需要高电流驱动的应用场景,如电机控制和开关电源等。

    4. 快速开关速度:STP21NM50N具有快速的开关速度,适合高频开关应用。这一特性在开关电源和高频变换器中尤为重要,因为它可以显著提高系统的转换效率和性能。

    5. 增强型沟道设计:STP21NM50N采用增强型N沟道设计,提供更好的开关特性和稳定性。增强型设计确保了器件在各种工作条件下都能保持优良的性能和稳定的操作。

    通过以上对STP21NM50N的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出该器件在电子和电力控制系统中的重要性和广泛应用。其高性能和多功能性使其成为众多高效能电力转换和控制应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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