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场效应MOS管STP21N65M5参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.179ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP21N65M5是一种高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP21N65M5被用作高效的开关元件,能够在高频率下快速切换,从而提高电源的转换效率。其高耐压和低导通电阻使其特别适合于需要高效、稳定运行的电源系统。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP21N65M5能够处理高电流和高电压,提供稳定的驱动能力。其快速切换特性有助于提高电机的响应速度和控制精度,广泛应用于工业自动化和电动车驱动系统。

    3. 不间断电源(UPS):UPS系统要求元件在瞬时高电流条件下仍能稳定工作,STP21N65M5凭借其强大的电流处理能力和耐压特性,成为了这些系统中的关键元件,确保电源的持续供应和稳定性。

    4. 逆变器:在光伏逆变器和风力发电逆变器中,STP21N65M5发挥了重要作用。它能够高效地将直流电转换为交流电,支持高功率输出,同时保持低能量损耗,从而提高整体系统的效率和可靠性。

    5. 电池管理系统(BMS):在锂离子电池管理系统中,STP21N65M5用于电池的充放电控制。其高效的开关性能和耐高压特性确保了电池在各种工作条件下的安全性和稳定性,是现代电池管理系统中的重要元件。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STP21N65M5具有650V的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作。这使其特别适合用于工业和电力系统中需要高耐压元件的应用。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.15Ω,能够在高电流条件下减少能量损耗,提高系统的效率。低导通电阻还帮助减少发热,从而提升元件的寿命和可靠性。

    - 高电流处理能力:STP21N65M5能够处理高达21A的持续电流,适用于需要大电流处理能力的应用场合,如电机驱动和逆变器系统。

    - 快速开关特性:其快速开关时间(典型值为10ns)使其在高频应用中表现出色,能够有效减少开关损耗,提升整体效率。快速开关特性对提高电源和驱动系统的响应速度至关重要。

    - 热性能优越:STP21N65M5的热阻低(结到环境的热阻典型值为62.5°C/W),能够有效散热,确保在高功率条件下的可靠运行。优越的热性能减少了散热设计的复杂性,提升了系统的稳定性。

    综上所述,STP21N65M5凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关特性以及优越的热性能,成为了各类电力和电子系统中的理想选择。其广泛的应用场景和出色的参数特点,使其在现代工业和电子领域中具有重要地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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