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场效应MOS管STP20NK50Z参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP20NK50Z是一款高性能的N沟道功率MOSFET,被广泛应用于各种电源管理和转换器电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP20NK50Z常用于高效开关电源中,能够实现快速的开关操作,从而提高整体电源效率,减少功耗。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,STP20NK50Z可以用作电机驱动器,提供高电流和高效率的控制,使得电机运行更加稳定和高效。

    3. 逆变器:STP20NK50Z在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中起到关键作用,能够处理高电压和大电流,确保系统稳定运行。

    4. 功率因数校正:在功率因数校正电路中,STP20NK50Z可以改善电力系统的效率和稳定性,减少无功功率损耗。

    5. LED驱动电路:STP20NK50Z在LED照明系统中用作驱动器,提供恒流输出,确保LED灯具的亮度和寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STP20NK50Z的击穿电压高达500V,这使其在高压应用中表现出色,能够有效应对高压环境下的电气冲击。

    - 低导通电阻:STP20NK50Z的导通电阻仅为0.18Ω,低导通电阻意味着在电流流过时产生的损耗较低,从而提高了整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:STP20NK50Z具备高达80A的脉冲电流能力,能够在瞬时高电流条件下稳定工作,不易损坏,确保电路的安全性和可靠性。

    - 快速开关特性:STP20NK50Z具有快速的开关速度,其开关时间非常短,能有效减少开关损耗,适用于高频操作场景。

    - 优异的热性能:STP20NK50Z的热阻较低,具备良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行,延长器件寿命。

    通过上述详细的分析,可以看出STP20NK50Z在多个应用场景中表现优异,其高击穿电压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关特性和优异的热性能使其成为电源管理、逆变器、电机驱动等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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