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场效应MOS管STP20N06参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通态电流:10AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP20N06是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下是STP20N06的应用场景和参数特点的详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP20N06在开关电源中扮演关键角色,作为主开关元件。它能够在高频率下工作,有助于提高电源的转换效率。由于其低导通电阻,STP20N06能够有效降低功率损耗,使得电源更加高效和可靠。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP20N06常用于控制电机的开关操作。它的高电流处理能力和耐高压特性,使其适用于电动汽车、工业自动化等领域中的直流电机驱动。

    3. 照明系统:STP20N06被广泛应用于LED驱动电路和其他照明系统中。其高效的开关性能和耐高压特性,确保了照明系统的稳定性和节能效果,尤其适用于高亮度LED照明设备。

    4. 逆变器:逆变器中,STP20N06常用作高频开关元件,帮助将直流电转换为交流电。其高效率和高耐压特性,使其适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统等应用。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,STP20N06被应用于电源管理、电子控制单元(ECU)和各种车载电子设备中。其高可靠性和耐高温性能,满足了汽车电子对元件的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STP20N06的典型导通电阻为0.07Ω,这意味着它在开关状态下的电阻非常低,能够有效降低导通损耗,提高电路的整体效率。

    - 击穿电压(VDS):STP20N06的击穿电压为60V,这使其适用于中等电压的应用场景,如电机驱动和开关电源等。其高击穿电压确保了在高压环境下的安全性和可靠性。

    - 最大连续漏极电流(ID):STP20N06的最大连续漏极电流为20A,能够处理较大的电流需求。这使其在大功率电源和电机驱动等应用中表现出色,能够提供稳定的电流输出。

    - 栅极电荷(Qg):STP20N06的典型栅极电荷为40nC,较低的栅极电荷使其能够快速开关,有助于提高开关频率,适用于高频率的开关电源和逆变器应用。

    - 结温(Tj)和存储温度范围(Tstg):STP20N06的工作结温范围为-55°C至175°C,存储温度范围为-55°C至175°C。这些参数表明其具有良好的热稳定性,适用于各种恶劣环境下的应用,如汽车电子和工业控制。

    综上所述,STP20N06凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为各种电力电子设备中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动,还是在照明系统和汽车电子中,STP20N06都能提供可靠的性能和高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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