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场效应MOS管STP200NF04参数

PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0037ΩVRDS(ON)ld通态电流:90AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP200NF04是一款广泛应用于各种电子设备和系统中的N沟道功率MOSFET。由于其卓越的性能和可靠的品质,以下是STP200NF04的主要应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP200NF04常用于电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和不间断电源(UPS)等。这些系统需要高效的功率转换和管理,而STP200NF04能够提供低导通电阻和快速开关速度,从而提升整个系统的效率。

    2. 电机驱动控制:在电动工具、电动车和家用电器中的电机驱动应用中,STP200NF04表现出色。它能够在高电流和高电压条件下稳定运行,确保电机能够获得稳定的电源供应并实现精确的控制。

    3. 照明系统:在LED照明和HID照明系统中,STP200NF04用于驱动电路。其低功耗和高效率的特点,使得照明系统能够在降低能耗的同时提供充足的亮度。

    4. 音频放大器:STP200NF04也广泛应用于高保真音频放大器中。其低导通电阻和高开关速度,使得放大器能够提供清晰和强劲的音质输出。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP200NF04用于逆变器电路,负责将直流电转换为交流电。这类应用要求器件具备高效率和高可靠性,而STP200NF04正是理想的选择。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STP200NF04的导通电阻极低,仅为0.027欧姆,这意味着在开通状态下,它能够有效地降低能量损耗,提高系统的整体效率。

    - 击穿电压(VDS):STP200NF04的最大击穿电压为40V,这使得它能够在较高电压环境下安全运行,适用于多种高电压应用场景。

    - 电流能力(ID):STP200NF04的连续漏极电流能力为200A,这表明它可以在高电流条件下稳定工作,适用于大功率设备和系统。

    - 开关速度:STP200NF04具备快速的开关速度,具体表现为其低的栅极电荷和快速的开关时间。这使得它在高频率的开关应用中,能够有效地降低开关损耗和提高效率。

    - 热性能:STP200NF04具有良好的热性能,其结-壳热阻(RθJC)为0.75°C/W。这意味着在高功率和高温条件下,STP200NF04能够有效散热,确保器件的稳定性和长寿命。

    综上所述,STP200NF04凭借其低导通电阻、高电流能力、快速开关速度和良好的热性能,成为众多电子设备和系统中的关键组件。无论是在电源管理、电机驱动、照明系统、音频放大还是太阳能逆变器中,STP200NF04都能够提供可靠的性能和优异的效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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