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场效应MOS管STP200N6F3参数

PD最大耗散功率:330WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0035ΩVRDS(ON)ld通态电流:60AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP200N6F3是一款非常受欢迎的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在多种电子设备和系统中得到广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP200N6F3常用于各种电源管理系统中,如开关电源(Switching Power Supply)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。其高效的开关特性使其在这些应用中能够有效地降低功耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动器:在电机驱动器(Motor Driver)中,STP200N6F3能够提供高电流和高压操作能力,确保电机在各种负载条件下都能稳定运行。尤其在工业自动化和机器人领域,它的作用尤为重要。

    3. 逆变器:STP200N6F3还广泛应用于逆变器(Inverter)中,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。它的高耐压和低导通电阻特性使其能够在高功率转换过程中保持高效和稳定。

    4. 电动汽车:在电动汽车(Electric Vehicle, EV)领域,STP200N6F3用于电池管理系统(Battery Management System, BMS)和电力传动系统中,提供高效的能量管理和传输,帮助提升车辆的整体性能和续航能力。

    5. 消费电子:STP200N6F3也被广泛应用于消费电子产品中,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑等。这些设备需要高效的电源管理解决方案,以延长电池寿命和提高设备性能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STP200N6F3的典型导通电阻非常低,约为0.018Ω。这意味着在导通状态下,它的功耗非常低,有助于提高整体电路的效率。

    - 耐压特性:这款MOSFET的最大漏源电压(VDSS)为60V,能够承受较高的电压,适合应用在需要高电压驱动的电路中。

    - 电流处理能力:STP200N6F3的最大连续漏极电流(ID)为200A,使其能够处理高电流应用,如电机驱动和电源管理。

    - 开关特性:其快速的开关速度使STP200N6F3在高频应用中表现出色。开关时间的典型值为几十纳秒,适合用于需要快速响应的电路中。

    - 热特性:STP200N6F3具有良好的热性能,最大结温(Tj)可达175℃。这使其在高功率应用中能够有效散热,保持稳定运行。

    综上所述,STP200N6F3凭借其优异的导通电阻、耐压特性、电流处理能力、快速开关速度和良好的热性能,成为各类电子设备和系统中不可或缺的重要元件。其广泛的应用场景和卓越的参数特点,使其在电源管理、电机驱动、逆变器、电动汽车和消费电子等领域展现出强大的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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