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MOS管STP19NF20参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP19NF20是一种高效的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP19NF20常用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中,因其优异的导通电阻和开关速度能够提高系统的整体效率。

    2. 电机控制系统:STP19NF20被用作功率开关来控制电机的启动和停止,具有低开关损耗的优点,确保了电机运行的可靠性和高效性。

    3. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统:STP19NF20的低漏电流和高耐压特性使其成为理想选择,确保系统的稳定性和高性能。

    4. 汽车电子领域:STP19NF20被广泛应用于电池管理系统(BMS)和电子控制单元(ECU)中,帮助实现更高的能源效率和更稳定的电力供应。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):STP19NF20的漏源电压为200V,使其能够在高压环境中稳定运行。

    - 连续漏极电流(ID):STP19NF20的连续漏极电流为19A,提供了足够的电流处理能力以满足大多数电力转换和控制应用的需求。

    - 低导通电阻:STP19NF20的RDS(on)典型值为0.18Ω,确保了低导通损耗,从而提高了整体系统效率。

    - 栅源电压(VGS):STP19NF20的最大栅源电压为±20V,具有良好的栅极驱动能力。

    - 热性能:STP19NF20的结壳热阻(RθJC)为1.25°C/W,能够在高功率密度应用中有效散热。

    - 总栅电荷(Qg):STP19NF20的总栅电荷为65nC,确保了快速的开关响应时间,适用于高频开关应用。

    综上所述,STP19NF20以其优异的电气性能和可靠的热管理特性,成为了电源管理、电机控制、太阳能逆变器和汽车电子等领域的理想选择。其高效的导通电阻、出色的电流处理能力以及稳定的高压性能,使得STP19NF20在各种应用中表现出色,确保了系统的高效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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