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MOS管STP19NB20FP参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP19NB20FP是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,提供高效的电力转换和管理。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP19NB20FP常用于开关电源和电池管理系统中,通过其低导通电阻和高开关速度,提高系统效率并减少能量损失。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,STP19NB20FP可用于驱动直流电机和步进电机,提供稳定的电流输出和高效的功率转换。

    3. 工业自动化:STP19NB20FP广泛应用于工业自动化设备中,如PLC和伺服系统,通过其高电流承载能力和耐高压性能,确保设备的可靠运行。

    4. 消费电子:在消费电子产品中,STP19NB20FP用于功率放大器和电源适配器中,提供高效的电力转换和稳定的电源输出。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP19NB20FP具有极低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在相同电流下,该器件的功耗更低,从而提高整体系统的效率。

    - 高开关速度:STP19NB20FP具备高开关速度,能够快速响应输入信号的变化,适用于高频率的开关应用。

    - 高电流能力:STP19NB20FP支持高达19A的电流,通过优化的芯片设计和封装技术,确保在高电流应用中保持稳定性能。

    - 耐高压性能:该器件的击穿电压高达200V,使其在高压环境下也能可靠运行,适用于工业和汽车电子等对耐压性能要求较高的应用。

    - 可靠的封装:STP19NB20FP采用TO-220封装,提供优良的热性能和机械强度,适合在各种严苛环境中使用。

    综上所述,STP19NB20FP是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种应用场景,从电源管理到工业自动化,凭借其优异的参数特点和可靠的性能,成为电子设备中不可或缺的重要元件。无论是在高效电力转换还是在高电流驱动应用中,STP19NB20FP都能提供卓越的性能和可靠的保护,确保设备的稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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