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场效应MOS管STP19NM50N参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP19NM50N是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于多种应用场景,具有一系列的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理: STP19NM50N 在电源管理领域广泛应用,用于开关电源和逆变器中,实现功率调节和转换。

    2. 电机驱动: 在电机控制系统中,STP19NM50N 作为功率开关,控制电机的启停和速度调节。

    3. 照明系统: 作为LED驱动器的关键元件之一,STP19NM50N 控制LED灯的亮度和稳定性。

    4. 电源逆变器: 在电源逆变器中,STP19NM50N 能够提供稳定的能量转换。

    5. 工业自动化: 在工业控制系统中,STP19NM50N 可以承受较高的工作电压和电流,保证系统稳定运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: STP19NM50N 具有低导通电阻特性,确保电源转换效率高。

    2. 高耐压: STP19NM50N 能够承受较高的工作电压,保证系统稳定性。

    3. 快速开关: STP19NM50N 具有快速开关特性,保证电路的高效运行。

    4. 适用于多种环境: STP19NM50N 在不同领域都能发挥作用,适用于多种环境。

    5. 高能效转换: STP19NM50N 能够降低系统能耗,提高电源效率。

    综上所述,STP19NM50N 作为一款N沟道场效应晶体管,具有低导通电阻、高耐压、快速开关等特点,适用于电源管理、电机驱动、照明系统等多种应用场景,为各种电力电子系统的设计提供了可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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