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场效应MOS管STP19N06参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP19N06是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。以下是其主要应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP19N06常用于高频转换器和电压调节模块,能够有效提高电源效率并减少功耗。

    2. 电动工具:电动工具需要高效的电源管理,STP19N06凭借其低导通电阻和高电流能力,能够满足这些设备对快速响应和高效率的需求。

    3. 汽车电子:在汽车电子领域,STP19N06被用于控制电机、灯光系统和其他车载电气设备,提供可靠的开关和保护功能。

    4. 可再生能源系统:如太阳能和风能发电系统中,STP19N06用于逆变器和控制器,确保能源的高效转换和利用。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,STP19N06用于驱动电机和控制负载,实现精准的电流控制和保护功能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:STP19N06的典型导通电阻为0.045欧姆,这意味着在高电流条件下,它能有效降低功耗,提高效率。

    - 高电流能力:STP19N06的最大连续漏极电流(ID)可达19安培,适用于需要高电流驱动的应用场景。

    - 耐高压:这款MOSFET的漏源极耐压(VDSS)为60伏,能够承受较高的电压应力,适合用在电压波动较大的环境中。

    - 开关速度快:STP19N06具有快速的开关特性,典型的开关时间为纳秒级,能够在高频开关电路中提供优异的性能。

    - 热性能好:STP19N06的热阻(RthJC)较低,仅为1.67 °C/W,能够有效散热,确保在高功率条件下稳定工作。

    综上所述,STP19N06因其低导通电阻、高电流能力、耐高压、快速开关和良好的热性能,被广泛应用于各种需要高效能和可靠性的电子设备中。通过对STP19N06的深入了解,设计师和工程师可以更好地优化其电源管理和控制系统,提升整体性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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