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场效应MOS管STP190NF04参数

PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:120AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0043ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP190NF04是一种常用于电源管理和功率控制的场效应晶体管(MOSFET),其广泛应用于各种电子设备和工业应用中。以下将详细介绍STP190NF04的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP190NF04常用于开关电源中,尤其是高效电源转换电路。由于其低导通电阻和高电流处理能力,使得其在转换过程中能减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,STP190NF04能够有效控制电机的启动和停止,以及调节转速。这种应用通常出现在电动车、工业机器人和家用电器中。

    3. 太阳能逆变器:STP190NF04在太阳能逆变器中的应用非常重要。它可以帮助将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,并确保转换过程中的高效和稳定。

    4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,STP190NF04用于电池管理系统,能够监控和管理电池的充放电过程,确保电池的安全和寿命。

    5. DC-DC转换器:STP190NF04在DC-DC转换器中用于电压调节和稳定。它能够在不同电压等级之间高效地转换,使设备能够稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP190NF04具有极低的导通电阻(RDS(on)),典型值为0.0095Ω。这意味着在导通状态下,电流通过晶体管时的电阻非常小,减少了功率损耗,提升了整体效率。

    - 高电流处理能力:STP190NF04的最大连续漏极电流(ID)为190A,说明它能够处理高电流应用。这在需要大电流的设备中尤为重要,如电机驱动和大功率开关电源。

    - 高击穿电压:STP190NF04的漏源击穿电压(VDS)为40V,确保其在较高电压下仍能稳定工作,适用于各种电压转换和调节电路。

    - 快速开关速度:STP190NF04具有极快的开关速度,这对于开关电源和高频转换应用至关重要。快速开关速度能够减少转换过程中的能量损失,提高效率。

    - 热管理性能:STP190NF04设计有良好的热管理性能,能够在高温环境下稳定工作。它的热阻(RthJC)为0.5°C/W,确保在高功率应用中,器件能够有效散热,维持可靠运行。

    综上所述,STP190NF04是一款高性能的MOSFET,其在开关电源、电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统以及DC-DC转换器中有广泛的应用。它的低导通电阻、高电流处理能力、高击穿电压、快速开关速度和优秀的热管理性能,使其成为众多高效能电力电子应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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