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场效应MOS管STP18NM80参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.295ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.57AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP18NM80是一款N沟道增强模式功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效能和高性能的电源管理和电气控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源逆变器:STP18NM80在电力电子设备中常用于电源逆变器,例如工业驱动器和家用逆变器系统,将直流电转换为交流电。

    2. 电机控制:作为开关元件,STP18NM80在电机控制系统中用于控制电机的启动、停止和调速,提高系统效率。

    3. 电源供应:STP18NM80在各种电源供应单元中,管理和调节电源输出,确保稳定的电压和电流输出。

    4. 照明系统:用于LED照明驱动电路中,STP18NM80能够控制LED的亮度和功率,提供高效的照明解决方案。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STP18NM80将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供电网使用。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:STP18NM80具有低导通电阻,降低功率损耗,提高能效。

    2. 高开关速度:快速的开关响应速度,减少能量损失,提升系统响应速度和稳定性。

    3. 高耐压能力:STP18NM80适用于各种高压应用环境,确保系统的安全性和可靠性。

    4. 优秀的热特性:良好的热导性能和散热设计,在高功率工作条件下保持稳定的温度。

    5. 可靠性强:经过严格的质量控制和可靠性测试,确保长期稳定工作和高性能输出。

    总结来说,STP18NM80作为一款高性能的N沟道MOSFET,在电源管理和电气控制系统中发挥着重要作用,为现代电子设备的设计提供了强大的支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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