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场效应MOS管STP17NK40Z参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP17NK40Z是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电路设计中。以下详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源应用中,STP17NK40Z因其低导通电阻和高击穿电压特点,能够有效提高转换效率,减少热损耗,适用于各种AC/DC和DC/DC转换器。

    2. 电机控制:该器件在电机控制电路中也有广泛应用,尤其是需要高效能和高可靠性的场合。STP17NK40Z的快速开关特性和高电流处理能力使其非常适合用于电机驱动和控制系统。

    3. 照明系统:在现代照明系统中,尤其是LED照明,STP17NK40Z凭借其高效能和可靠性,能确保稳定的电流供给和高效的热管理,是LED驱动电路的理想选择。

    4. 逆变器和UPS系统:在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,STP17NK40Z的高电压和大电流处理能力能够提供稳定的电源输出,确保设备在各种负载条件下正常运行。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和储能设备中,STP17NK40Z被广泛用于电池管理系统中,能够有效管理充放电过程,提升系统整体效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STP17NK40Z的击穿电压高达400V,使其在高压应用中具有显著优势,能够承受高电压冲击,适用于各种高压电源和转换器。

    - 低导通电阻:该器件的典型导通电阻仅为0.18欧姆(最大值),这意味着在开通过程中电能损耗极低,能够提高整体电路的效率,减少发热量。

    - 高电流能力:STP17NK40Z的最大连续漏极电流为17A,这使其在高电流需求的应用中表现优异,能够可靠地处理大电流负载,保证电路的稳定性。

    - 快速开关特性:由于采用了先进的Trench MOSFET技术,STP17NK40Z具有极快的开关速度,这不仅能减少开关损耗,还能提高电路的响应速度,适用于高频开关应用。

    - 增强的热性能:STP17NK40Z采用D2PAK封装,具有优良的热性能,能有效散热,减少器件的温升,延长其使用寿命,保证在高功率应用中的可靠性。

    综上所述,STP17NK40Z凭借其卓越的电气性能和可靠性,成为了多种电子设备和电路设计中的关键元件。其在开关电源、电机控制、照明系统、逆变器和电池管理系统中的广泛应用,充分展示了其在高效能和高可靠性应用中的不可替代性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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