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MOS管STP16NS25FP参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP16NS25FP是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子和开关电源系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电动汽车充电系统:STP16NS25FP具有低导通电阻和高电流处理能力,使其在电动汽车充电系统中能够高效地进行电能转换和管理,提高充电效率和安全性。

    2. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP16NS25FP可以用于逆变器部分,帮助将直流电转换为交流电。其高效能和可靠性对于提高系统整体效率至关重要。

    3. 工业自动化设备:工业自动化需要可靠和高效的电源管理,STP16NS25FP的高耐压和大电流特性,使其在驱动电机和其他高功率负载时表现优异。

    4. 消费电子设备:在一些高性能消费电子设备如高端电视、音响系统中,STP16NS25FP用于开关电源,确保设备的稳定和高效运行。

    5. 数据中心电源管理:数据中心对电源的要求极高,STP16NS25FP的高效能和低功耗特性使其成为服务器和存储设备电源管理的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP16NS25FP的导通电阻仅为0.085Ω,这意味着在高电流条件下,它能够有效减少功率损耗,提高整体系统效率。

    - 高耐压能力:该MOSFET具有250V的高耐压能力,能够适应各种高电压应用场景,提供更大的设计灵活性。

    - 大电流处理能力:STP16NS25FP能够处理高达16A的连续漏极电流,使其在大功率应用中表现出色,适用于需要高电流传输的电路。

    - 快速开关速度:其开关速度非常快,能够在纳秒级别完成开关操作,这对于提高电路的切换效率和减少开关损耗具有重要意义。

    - 低栅极电荷:STP16NS25FP的栅极电荷为48nC,这使得驱动该MOSFET所需的功率较低,从而在电路设计中能够实现更高的效率和更低的功耗。

    综上所述,STP16NS25FP以其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异参数特点,成为了各类高性能电力电子系统和设备中不可或缺的核心元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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