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场效应MOS管STP16NK65Z参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP16NK65Z是一种常见的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和独特的参数特点。本文将详细介绍STP16NK65Z的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP16NK65Z广泛应用于各种电源管理系统中,包括开关电源和DC-DC转换器。其高效率和低导通电阻使其非常适合用于需要高效能量转换的场景。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,STP16NK65Z常用于驱动直流电机和步进电机。其高电流能力和快速开关特性可以有效提高电机驱动的性能和响应速度。

    3. 音频放大器:STP16NK65Z在音频放大器中也有应用,特别是在高功率音频放大器中。其高线性度和低失真使其能够提供高质量的音频输出。

    4. 照明系统:在现代LED照明系统中,STP16NK65Z常用于LED驱动电路。其高效的电流控制和耐高温特性,使其能够在各种环境下稳定工作。

    5. 太阳能逆变器:STP16NK65Z在太阳能逆变器中扮演着重要角色,其高效率和耐用性使其能够在太阳能发电系统中长期稳定运行,提升系统的整体效率。

    二、参数特点:

    1. 电压和电流能力:STP16NK65Z具有650V的漏源极电压(Vds)和16A的最大连续漏极电流(Id),这使得它在高压和大电流应用中表现出色。

    2. 低导通电阻:其典型的导通电阻(Rds(on))仅为0.32Ω,这意味着在导通状态下,功耗低,效率高,适合高效能量传输的应用。

    3. 开关速度快:STP16NK65Z具有快速的开关速度,其典型的上升时间和下降时间分别为30ns和20ns。这一特点使其在高频开关应用中能够减少开关损耗,提高整体效率。

    4. 热性能优越:STP16NK65Z的最大结温(Tj)为150°C,并且具有良好的热阻特性,使其在高功率应用中能够有效散热,保证稳定运行。

    5. 高输入电容:STP16NK65Z的输入电容(Ciss)为2000pF,这在某些高频应用中可能需要注意,但对于大多数功率开关应用,这一参数是可以接受的,且有利于稳定性。

    综上所述,STP16NK65Z凭借其出色的电压和电流能力、低导通电阻、快速开关速度、优越的热性能以及合理的输入电容,在多种应用场景中展现出了其独特的优势。这些特点使得STP16NK65Z成为电源管理、电机驱动、音频放大器、照明系统和太阳能逆变器等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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