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场效应MOS管STP16N50M2参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:ΩVRDS(ON)ld通态电流:AVRDS(ON)栅极电压:VVGS(th)V开启电压:VVGS(th)ld(μA)开启电流:μA

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    STP16N50M2是一种在电力电子领域广泛应用的N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有高电压、高电流和低导通电阻等特点,使其在多个应用场景中发挥重要作用。以下将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP16N50M2经常用于开关电源中,尤其是高效的AC-DC和DC-DC转换器。这是因为该器件能够在高频率下工作,同时保持低导通损耗和开关损耗,从而提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在工业自动化和家用电器中,电机驱动是一个常见的应用。STP16N50M2的高电流处理能力和快速开关特性,使其在控制电机启动和运行时提供了可靠的性能,从而提高了电机的响应速度和效率。

    3. 逆变器:逆变器用于将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中。STP16N50M2能够处理高电压和高电流,在逆变过程中提供高效的功率转换。

    4. 电焊机:在电焊机中,STP16N50M2用于控制焊接电流的输出。其高耐压和大电流特性,确保了电焊机能够在各种工作条件下稳定运行,提供稳定的焊接电流。

    5. 电源管理:STP16N50M2还应用于各种电源管理电路中,例如电压调节器和电池管理系统。其低导通电阻和高开关速度,使其能够高效地管理电能的分配和转换。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:STP16N50M2具有500V的击穿电压,使其能够在高电压环境下可靠工作。这一特性在高压开关和逆变器应用中尤为重要。

    - 低导通电阻:其导通电阻(RDS(on))仅为0.23Ω,有助于减少导通损耗,提高整体电路的效率。这在电机驱动和电源管理应用中显得尤为重要。

    - 高电流处理能力:STP16N50M2的最大连续漏极电流为16A,使其能够处理大电流应用,如电机驱动和电焊机。这一特性确保了器件在高负载下的可靠性和稳定性。

    - 快速开关速度:该器件的开关时间极短,通常在纳秒级别。快速的开关速度使其在高频开关电源和逆变器应用中能够有效减少开关损耗,提高系统效率。

    - 低栅极电荷:STP16N50M2的栅极电荷较低,这意味着其驱动电路可以更简化,并且功耗更低。这在电源管理和电池供电设备中尤为重要,因为它有助于延长电池寿命。

    综上所述,STP16N50M2作为一种高性能的N沟道增强型功率MOSFET,凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优越参数特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、电焊机和电源管理等多个领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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