PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:16AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源:STP16N10L常用于开关电源中,特别是在需要高效能量转换的应用中。由于其低导通电阻和快速开关特性,STP16N10L能够有效地降低能量损耗,提高整体系统效率。这使其在AC-DC转换器和DC-DC转换器中广受欢迎。
2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STP16N10L也是一个理想选择。它的高电流承载能力和坚固的耐压性能,使其在直流电机和无刷电机的驱动电路中发挥重要作用。特别是在工业自动化和机器人控制系统中,STP16N10L可以提供稳定和高效的电流控制。
3. 电池管理系统:随着电动汽车和便携式设备的普及,电池管理系统的需求不断增加。STP16N10L在这些系统中被广泛应用,用于电池的充电和放电控制。其低导通电阻有助于减少热量生成,从而提高系统的安全性和寿命。
4. 光伏逆变器:在太阳能光伏发电系统中,STP16N10L用于逆变器电路。它的高效开关性能和高耐压特性,使其能够处理大功率转换,确保光伏系统的高效能量输出。这对于提升太阳能发电的整体效率至关重要。
5. 负载开关:在许多电子设备中,负载开关是必不可少的。STP16N10L凭借其低栅极电荷和低导通电阻,能够实现快速、可靠的负载开关控制。这对于移动设备、通信设备和消费电子产品尤为重要。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):STP16N10L的导通电阻极低,典型值为0.135欧姆(在VGS=10V时)。这有助于在工作过程中减少功率损耗,提高整体效率。
- 高电流承载能力:STP16N10L的连续漏极电流能力高达16A(在25°C环境温度下),这使其能够处理大电流应用,适用于高功率设备。
- 高耐压能力:该MOSFET的漏源极击穿电压为100V,这意味着它能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种工业和商业电源系统。
- 低栅极电荷(Qg):STP16N10L的栅极电荷典型值为45nC,这使得其能够在高频应用中快速切换,从而提高电路的响应速度和效率。
- 封装形式:STP16N10L采用TO-220封装,这种封装形式具备优良的散热性能和机械强度,适合在需要高可靠性的应用中使用。
综上所述,STP16N10L是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力、高耐压特性和快速开关性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统、光伏逆变器和负载开关等多种场景。其高效能和可靠性使其成为电子设计工程师的首选元件。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号