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场效应MOS管STP15NK50Z参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:14AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.34ΩVRDS(ON)ld通态电流:7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP15NK50Z是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力和电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP15NK50Z常用于电源管理电路中,如开关电源、直流-直流转换器和不间断电源系统。它的高耐压特性和低导通电阻使其在这些应用中能够高效地转换和管理电能,提高系统的整体效率和可靠性。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP15NK50Z能够提供强大的驱动能力和快速的开关速度,适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型电机的控制。这些特性使得电机能够平稳运行并延长其使用寿命。

    3. 工业自动化:STP15NK50Z在工业自动化设备中有着广泛的应用,如PLC(可编程逻辑控制器)、工业机器人和自动化生产线中的驱动模块。它的高可靠性和耐久性确保了设备在严苛的工业环境中能够长期稳定运行。

    4. 家用电器:家用电器,如空调、洗衣机和冰箱等,也常常使用STP15NK50Z。其高效的功率转换能力和低损耗特性,有助于这些设备的节能降耗,同时提高了使用的安全性和稳定性。

    5. 照明系统:在LED照明系统中,STP15NK50Z能够有效控制LED的亮度和电流,确保照明系统的高效和长寿命。此外,其高频开关特性也使其适用于调光和智能照明系统。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:STP15NK50Z具有500V的漏源极耐压(Vds),使其能够在高电压环境下可靠运行,适用于需要高耐压的应用场合。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.35Ω,这意味着在工作过程中产生的导通损耗较低,提高了整体的能效。

    - 开关速度:STP15NK50Z具有快速的开关速度,这一特性使其在高频率的开关电路中能够有效工作,减少了开关损耗,并提高了电路的效率。

    - 最大漏极电流:该器件的最大漏极电流(Id)为15A,能够处理较大的电流需求,适用于高功率应用。

    - 栅极电荷:STP15NK50Z的总栅极电荷(Qg)较低,仅为60nC,这使得它在驱动时所需的栅极驱动功率较低,从而减少了驱动电路的复杂性和能耗。

    通过以上分析,STP15NK50Z凭借其出色的电气参数和广泛的应用场景,成为了功率MOSFET中的一款重要器件,在多个领域中发挥着关键作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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