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场效应MOS管STP14ONF55参数

PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP14ONF55是一种高性能的N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于多个领域,尤其是在电源管理和电机控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP14ONF55常用于开关电源和DC-DC转换器中。其高效率和低导通电阻使其在这些应用中表现出色,能够有效减少功耗并提高系统效率。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,STP14ONF55被广泛应用于电动机驱动电路,特别是在需要高频开关的场合。其快速开关速度和低导通电阻使其在这类应用中具有很高的可靠性和性能。

    3. 照明系统:STP14ONF55还用于LED照明系统中。由于其高效率和稳定性,能够确保LED驱动电路的长期稳定运行,同时提高整体系统的能效。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统(BMS)中,STP14ONF55用于电池保护电路,通过其精确的控制和低导通电阻,确保电池的安全和高效使用。

    5. 逆变器和变频器:STP14ONF55在逆变器和变频器中应用广泛,特别是在需要高效能和可靠性的场合。其高耐压和低损耗特性使其成为这些设备中的理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP14ONF55具有非常低的导通电阻(R_DS(on)),典型值为14毫欧。这意味着在相同电流条件下,STP14ONF55能够更有效地减少功耗,提高系统效率。

    - 高耐压能力:该型号的漏源极耐压(V_DS)高达55伏,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于多种高压应用场景。

    - 大电流处理能力:STP14ONF55的连续漏极电流(I_D)高达110安培,这使其能够处理大电流负载,适合于需要大电流传输的应用。

    - 快速开关速度:STP14ONF55的快速开关特性(典型开关时间为10纳秒)使其在高频应用中表现优异,能够有效减少开关损耗。

    - 可靠的热性能:STP14ONF55具有良好的热性能,其热阻(R_thJC)仅为0.83℃/W。这意味着它能够在高温环境下稳定工作,并且散热效果良好。

    通过以上分析,可以看出,STP14ONF55在电源管理、电机控制、照明系统、电池管理系统以及逆变器和变频器等应用中具有广泛的应用前景,并且其参数特点使其在这些领域表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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