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场效应MOS管STP14NM65N参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.38ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP14NM65N是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力和电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP14NM65N常用于开关电源和DC-DC转换器中。其高效率和低导通电阻特性使其非常适合这些需要高效能量转换的应用。

    2. 电机驱动器:在电机控制和驱动电路中,STP14NM65N可以作为开关元件,提供高效的电流管理能力。它的快速开关速度和高电流处理能力使其能够有效控制电机的运转。

    3. 太阳能逆变器:由于其高击穿电压和高效能量转换特性,STP14NM65N适用于太阳能逆变器,帮助实现太阳能电池板产生的直流电向交流电的转换。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STP14NM65N可以用来管理电池的充放电过程,并确保在主电源断电时提供持续的电力支持。

    5. 家用电器:在洗衣机、冰箱等家用电器中,STP14NM65N用于控制电机和电源管理电路,提供稳定和高效的电力控制。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STP14NM65N的导通电阻非常低,仅为0.14欧姆。这意味着它在工作时产生的热量较少,提高了整体效率和可靠性。

    - 高击穿电压:其最大击穿电压为650V,使其能够在高电压环境下稳定工作,不易因电压波动而损坏。

    - 高电流处理能力:STP14NM65N能够处理高达14A的电流,适合需要高电流的应用场景,如电机驱动和电源管理系统。

    - 快速开关速度:STP14NM65N的开关速度非常快,能够在极短的时间内完成开关操作,适用于需要高频开关的应用。

    - 耐用性和可靠性:由于其设计和制造工艺,STP14NM65N具有很高的耐用性和可靠性,能够在恶劣的工作环境中长期稳定运行。

    综上所述,STP14NM65N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于多种电力和电子设备应用。从电源管理系统到电机驱动器,再到太阳能逆变器和不间断电源(UPS),STP14NM65N凭借其卓越的性能和可靠性,为各类设备提供高效、稳定的电力控制和管理。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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