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场效应MOS管STP14NM50N参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.32ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP14NM50N是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。下面将详细介绍STP14NM50N的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP14NM50N常用于电源管理电路中,包括开关电源、DC-DC转换器等。它的高效开关特性和低导通电阻,使其在提高能效和减少能量损耗方面表现出色。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,STP14NM50N因其出色的开关速度和高电流处理能力,被广泛用于直流电机和步进电机驱动电路。它能够提供快速响应和高效的电流控制。

    3. 汽车电子:汽车电子系统要求高可靠性和耐用性,STP14NM50N凭借其耐高压和低导通电阻特性,适合用于汽车中的电源分配和控制系统,如电动窗、座椅调节和照明系统。

    4. 工业控制:在工业控制领域,STP14NM50N用于各种自动化设备和控制系统中。它能够在高温和高压环境下稳定工作,适合工业环境的严苛要求。

    5. 消费电子:在消费电子产品中,如电视、音响设备和智能家电,STP14NM50N用于高效能的电源管理和开关电路,提升设备的性能和使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STP14NM50N的典型导通电阻仅为0.21Ω,这意味着在开关时,它能够以较低的功耗进行高效能量传输,从而提高整个系统的能效。

    - 高击穿电压(VDSS):STP14NM50N的漏源极击穿电压高达500V,使其能够在高压应用中安全工作,适用于各种高压电源和工业应用。

    - 快速开关速度:由于其低门极电荷和高开关速度,STP14NM50N能够在高频开关电路中发挥出色性能,减少开关损耗和发热,提高系统的可靠性。

    - 高电流处理能力:STP14NM50N最大连续漏极电流为14A,适合高电流应用,如电机驱动和大功率电源管理,确保设备能够稳定运行。

    - 耐高温特性:STP14NM50N能够在高达175°C的结温下工作,具备良好的热稳定性,适应苛刻的工作环境,提高器件的耐用性和可靠性。

    通过以上详细的应用场景和参数特点介绍,可以看出STP14NM50N在多种电子设备和电路设计中具有重要的应用价值,其高效能、高可靠性和多功能特性使其成为设计人员的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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