PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:STP13NM60N广泛应用于开关电源电路中。在这些电路中,MOSFET的高效率和高开关速度是关键因素。STP13NM60N能够在高频下运行,有助于提高电源的转换效率并减少能量损耗。
2. 电机控制:在电机驱动应用中,STP13NM60N作为控制开关元件发挥重要作用。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够有效控制电机的启动、停止和调速,广泛用于工业自动化和家电领域。
3. 不间断电源(UPS):不间断电源系统中需要可靠的功率元件来确保电力供应的连续性。STP13NM60N的高可靠性和耐用性使其成为UPS系统中的理想选择,能够在各种应急情况下提供稳定的电力支持。
4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,STP13NM60N用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高效率和低损耗特点有助于提高整个光伏系统的效率,确保更高的能量转换率。
5. 音频放大器:STP13NM60N也被用于高保真音频放大器中。其低噪声特性和优良的线性性能确保了音频信号的高质量放大,适用于高端音频设备。
二、参数特点:
1. 电压和电流处理能力:STP13NM60N的漏源电压(VDS)高达600V,适用于高电压应用。此外,其最大漏极电流(ID)为13A,能够处理较大的电流,满足大功率电路需求。
2. 低导通电阻:该器件的导通电阻(RDS(on))典型值仅为0.39Ω,确保在导通状态下的低损耗。低导通电阻不仅提高了效率,还减少了器件发热,有助于延长器件寿命。
3. 快速开关速度:STP13NM60N具有出色的开关性能,开关时间短,能够在高频电路中快速响应。这一特点使其在需要快速切换的应用中,如开关电源和逆变器中表现优异。
4. 高可靠性:STP13NM60N设计符合工业标准,具有很高的可靠性和耐用性。其高击穿电压和强大的电流处理能力使其在苛刻的工作环境下依然能够稳定运行。
5. 热性能:该器件的热阻(RθJC)低至1.7°C/W,具有良好的热管理性能。在高功率应用中,STP13NM60N能够有效散热,保持器件的稳定工作温度,避免过热损坏。
总之,STP13NM60N是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,其广泛的应用场景和优异的参数特点使其在电子行业中占据重要位置。无论是在开关电源、电机控制、不间断电源、光伏逆变器,还是高保真音频放大器中,STP13NM60N都能提供高效、可靠的解决方案。
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