PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.32ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:STP13NM50N常用于开关电源中,作为主开关器件。由于其高效率和高开关速度,能够显著减少能量损耗,提高电源的整体效率。
2. 不间断电源(UPS):在不间断电源系统中,STP13NM50N的高可靠性和低导通电阻使其成为理想的选择,能够确保在电力故障时快速响应并维持供电稳定性。
3. 电动汽车:STP13NM50N也被广泛应用于电动汽车的驱动系统中,其高电流承载能力和耐高压特性适用于高功率的电机控制和电池管理系统。
4. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,STP13NM50N常用作功率放大器和控制开关,确保设备运行的高效性和稳定性。
5. 照明设备:在高功率LED照明系统中,STP13NM50N能够提供稳定的电流控制和高效的功率转换,提升照明设备的性能和寿命。
二、参数特点:
- 额定电压和电流:STP13NM50N具有500V的击穿电压和13A的连续漏极电流(Id),这使其能够在高压大电流环境中稳定工作,适用于各种高功率应用场景。
- 低导通电阻:STP13NM50N的导通电阻(Rds(on))极低,仅为0.27Ω,这意味着在开关状态下的功率损耗非常小,有助于提高整体系统的能效。
- 高开关速度:STP13NM50N的开关速度非常快,具有短暂的上升和下降时间(tr和tf),这对于开关电源和高频应用非常重要,能够显著减少切换损耗。
- 热特性:STP13NM50N具备良好的热特性,最大结温(Tj)可达150°C,确保在高温环境下仍能稳定工作。同时,优秀的热阻(RthJC)设计有助于有效散热,延长器件寿命。
- 耐用性和可靠性:STP13NM50N采用先进的制造工艺,具有高耐用性和可靠性,能够在苛刻的环境条件下长期稳定运行,适用于各种工业和消费电子设备。
综上所述,STP13NM50N是一款性能卓越的功率MOSFET,凭借其高电压、高电流、低导通电阻、高开关速度以及优异的热特性,被广泛应用于开关电源、不间断电源、电动汽车、工业控制系统和照明设备等多种领域。这些特点使STP13NM50N成为各类高效电力转换和控制应用中的理想选择。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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